美光科技宣布巨额本土投资计划
国际存储芯片制造商美光科技（MU.O）近日宣布，计划在2035年前向美国本土投资超过2500亿美元，以扩大存储产能并增强本土制造能力。这一投资额度较去年6月公布的2000亿美元大幅增加。
美光科技表示，此次投资旨在实现长期目标，即将其DRAM产量的40%在美国本土生产。2500亿美元的投资将用于包括在美国爱达荷州博伊西建设第二座前沿存储芯片制造工厂和扩建弗吉尼亚州马纳萨斯的一处制造设施等项目。此外，还将有数百亿美元投入技术研发。
美光科技还宣布，将投资高达30亿美元强化美国半导体供应链生态系统，以打造未来技术创新必需的关键半导体制造能力，并满足AI及其他数据密集型应用对先进存储的需求。其中5亿美元将提供给环球晶圆公司，用于推进得克萨斯州谢尔曼市的300mm原始硅晶圆制造工厂的开发和产能建设，并与环球晶圆签订了为期10年的供应协议，确保美光科技获得充足的原始硅晶圆产能。
美光科技与环球晶圆还计划合作开发下一代晶圆技术和工艺创新。7月9日开盘后，美光科技股价上涨超过7%，市值达到1.2万亿美元。
此前，韩国政府与三星、SK集团公布了总计4755万亿韩元的企业国内投资计划，围绕半导体、物理AI、AI数据中心三类核心超级项目，其中三星电子和SK海力士计划各建两座半导体制造厂。
全球最大的三家DRAM原厂三星电子、SK海力士、美光科技的最新投资计划表明，国际DRAM厂商正致力于扩张存储产能，并有意强化本土制造能力。
中国DRAM厂商长鑫科技已启动科创板IPO发行程序，拟募资295亿元，用于DRAM存储器技术升级项目、前瞻技术研究与开发项目，以及存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目。